二极管工作过程 · 动态演示
二极管工作过程演示
PN结微观 · I-V特性 · 整流电路
单向导电
Si 硅管 ~0.7V
半波整流
击穿特性
PN结微观结构
伏安特性曲线 (I-V)
半波整流电路 & 波形
实时参数
偏置状态:
零偏置
外部电压:
0.00 V
二极管状态:
截止
正向压降:
~0.70 V (Si)
耗尽层宽度:
适中
势垒高度:
~0.70 eV
扩散电流:
≈ 0
漂移电流:
≈ 0
净电流: I ≈ 0
空穴 h⁺
电子 e⁻
电场/能带
电流/导通
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